大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么