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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。ln的公式大全，ln4-ln2等于多少p>

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和ln的公式大全，ln4-ln2等于多少(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器ln的公式大全，ln4-ln2等于多少的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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