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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

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　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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