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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进临沂是几线城市，临沂是几线城市2023(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(q临沂是几线城市，临沂是几线城市2023ián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科临沂是几线城市，临沂是几线城市2023(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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