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　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思e-height: 24px;'>当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思)信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。<当窗理云鬓对镜贴花黄是什么意思，对镜贴花黄是什么意思/strong>

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。