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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(y盱眙的邮编号码是多少啊ào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(g盱眙的邮编号码是多少啊uó)网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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