大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021雨伞能当太阳伞用吗，雨伞能当太阳伞用吗年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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