大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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