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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　原生家庭是指离异吗，为什么说原生家庭可怕审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(mě原生家庭是指离异吗，为什么说原生家庭可怕i)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)原生家庭是指离异吗，为什么说原生家庭可怕信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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