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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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