大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步4斤是多少克，0.4斤是多少克骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(4斤是多少克，0.4斤是多少克jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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