大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗lái)自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1X东京是不是日本首都 东京不是日本的首都吗nm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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