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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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