大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查塑料是不是绝缘体<塑料是不是绝缘体/span>，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)塑料是不是绝缘体存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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