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一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗

一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险,影响我国国家(jiā)安全。为此,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规,<一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗strong>我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全,是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安(ān)全,依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu),也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降,至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位(wèi)列江一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lón一氧化碳密度比空气大还是小 一氧化碳密度小于空气吗g)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制,或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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