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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗)，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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