大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（M尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系icron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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