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希望的拼音是什么

希望的拼音是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

  美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

  审查(chá)发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规,我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文(wén)称(chēng),为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护(hù)国(guó)家安全,依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网(希望的拼音是什么wǎng)络(luò)安全(quán)法》,网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

希望的拼音是什么>  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降,至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有(yǒu)券商此前就分(fēn)析,如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制,或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì),国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān),设备(bèi)国产化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额(é)提升,以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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