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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(gu决别和诀别哪个是对的意思，诀别和决别是什么意思ó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安决别和诀别哪个是对的意思，诀别和决别是什么意思全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查决别和诀别哪个是对的意思，诀别和决别是什么意思办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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