大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wjk袜子总是掉怎么办，足球袜套jèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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