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家里放什么东西蛇不敢来,家里有蛇放什么东西最怕

家里放什么东西蛇不敢来,家里有蛇放什么东西最怕 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办(bàn)消息(xī),日前,网(wǎng)络安(家里放什么东西蛇不敢来,家里有蛇放什么东西最怕ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查,目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全,是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放,只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网(wǎng)信网发文(wén)称,为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán),防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》,网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告(gào)显示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上(shà家里放什么东西蛇不敢来,家里有蛇放什么东西最怕ng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在下游市(shì)场的供应优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制,或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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