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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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