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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消银川海拔高度是多少 银川有高原反应吗息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公银川海拔高度是多少 银川有高原反应吗司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì银川海拔高度是多少 银川有高原反应吗)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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