大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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