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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严将军三箭定天山指的是谁定天下，将军三箭定天山说的是哪位历史人物重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设将军三箭定天山指的是谁定天下，将军三箭定天山说的是哪位历史人物施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm将军三箭定天山指的是谁定天下，将军三箭定天山说的是哪位历史人物 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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