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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次>军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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